Micro LED屏介紹 Micro-LED的優(yōu)勢(shì)好處

什么是Micro-LED？

Micro-LED，顧名思義，就是特別小的LED。 Micro LED 是底層用正常的CMOS集成電路制造工藝制成LED顯示驅(qū)動(dòng)電路，然后再用MOCVD機(jī)在集成電路上制作LED陣列，從而實(shí)現(xiàn)了微型顯示屏。

同LED一樣，MicroLED典型結(jié)構(gòu)是一個(gè)半導(dǎo)體器件，由直接能隙半導(dǎo)體材料構(gòu)成。半導(dǎo)體晶片由兩部分組成，一部分是P型半導(dǎo)體，在它里面空穴占主導(dǎo)地位，另一端是N型半導(dǎo)體，在這邊主要是電子。但這兩種半導(dǎo)體連接起來的時(shí)候，它們之間就形成一個(gè)P-N結(jié)。當(dāng)電流通過導(dǎo)線作用于這個(gè)晶片的時(shí)候，電子就會(huì)被推向P區(qū)，在P區(qū)里電子跟空穴復(fù)合，然后就會(huì)以光子的形式發(fā)出能量。Micro-LED光譜主波長(zhǎng)度約為20nm的紫外光，可提供極高的色飽和度。

顯示器晶片表面必須制作成如同LED顯示器般的陣列結(jié)構(gòu)，且每一個(gè)點(diǎn)劃素必須可定址控制、單獨(dú)驅(qū)動(dòng)點(diǎn)亮。若透過互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體電路驅(qū)動(dòng)則為主動(dòng)定址驅(qū)動(dòng)架構(gòu)，MicroLED陣列晶片與CMOS間可透過封裝技術(shù)。

黏貼完成后Micro LED能藉由整合微透鏡陣列，提高亮度及對(duì)比度。Micro LED陣列經(jīng)由垂直交錯(cuò)的正、負(fù)柵狀電極連結(jié)每一顆Micro LED的正、負(fù)極，透過電極線的依序通電，透過掃描方式點(diǎn)亮Micro LED以顯示影像

相較傳統(tǒng)的LED顯示器件，新型Micro-LED從原有的300-1000微米的典型尺寸縮小到1-100微米，使之在同等面積的芯片上可以獲得更高的集成數(shù)量。因LED自發(fā)光的顯示特性，極大地提高了Micro-LED地光電轉(zhuǎn)換效率，可以實(shí)現(xiàn)低能耗或高亮度的顯示器設(shè)計(jì)。

Micro-LED的優(yōu)點(diǎn)特性是什么？

Micro LED優(yōu)點(diǎn)表現(xiàn)的很明顯，它繼承了無機(jī)LED的高效率、高亮度、高可靠度及反應(yīng)時(shí)間快等特點(diǎn)，并且具自發(fā)光無需背光源的特性，更具節(jié)能、機(jī)構(gòu)簡(jiǎn)易、體積小、薄型等優(yōu)勢(shì)。

其微米級(jí)的像素間距，使得每一個(gè)像素點(diǎn)都能單獨(dú)控制和驅(qū)動(dòng)，因此，無論是分辨率、亮度、對(duì)比度還是功耗等都不亞于OLED。

特別是在使用壽命上，由于其采用無機(jī)材料制作，壽命和穩(wěn)定性都要比OLED屏幕的有機(jī)分子要強(qiáng)得多，在OLED屏幕上容易出現(xiàn)的燒屏老化現(xiàn)象情況也要少得多。

此外，Micro LED還有一個(gè)非常大的優(yōu)勢(shì)就是解析度超高，這也是由于采用微米級(jí)像素間距，由于微小，所以表現(xiàn)出來的解析力度特別高。

與OLED相同，Micro LED同樣也是自發(fā)光，大大降低功耗。相比OLED，色彩更容易準(zhǔn)確調(diào)試。